PECVD 實驗裝置為平板式電容式耦合放電裝置，單體通過真空室的負壓引入真空室，然后在RF 電源(13.56MHz)的激發下形成等離子體。通過等離子體化學氣相沉積在基片表面形成Siox 薄膜。實驗采用射頻電源為OW～500W，單體、Ar 經由控制閥控1，2，3 輸入到反應腔體。

電源為40KHz。樣品準備：實驗中所使用基材為PET、載玻片和單晶硅。在放入真空室之前基材都是經過乙醇超聲波清洗5 分鐘，然后吹干。

在樣品結構性能分析中，FTIR 分析是在日本島津公司生產的FTIR－8400 型傅立葉變換紅外光譜儀上進行，波長掃描范圍是400cm－1～4000cm－1，精度為4cm－1；薄膜的阻隔性能采用美國Illinois 生產的8001 透氧儀(廣州標際包裝設備有限公司代理)測量氧的透過性、蘭光TSY－Tl 透濕性測試儀測量水蒸氣的透過性。單體由Sigma－Aldrich(中國)采購，沒有進行進一步的提純。

結果和分析

1.薄膜的結構分析

①薄膜的紅外光譜圖

為在HMDSO和氧氣條件下沉積的氧化硅薄膜紅外光譜圖。譜圖中峰值在1060cm－1～1070cm－1、805cm－1～810cm－1 都顯示出氧化硅兩個主要特征峰，分別代表Si－O－Si 結構中的伸展和彎曲振動，表明等離子體增強化學氣相沉積膜主要成分為氧化硅。比較發現PECVD 和PDPs 制備的SiO2 薄膜除Si－O 伸縮振動吸收峰外，有1200cm－1～1500cm－1，1248cm－1 的Si(CH3)伸縮振動峰，1409cm－1CH2－Si－變形振動峰，1469 cm－1 處的CH2 剪式或CH2－C－CH2 變形振動峰。在相同條件下，PECVD 和PDPs 沉積氧化硅薄膜的速率隨氧氣的分壓增加而降低，Si－O 伸縮振動峰隨氧氣的減少變得尖銳而狹窄，這說明少量的氧氣可以得到高純度的SiO2。

②SIOx 薄膜的XPS 分析

表示了氧化硅薄膜的XPS 分析譜圖。其中結合能為103.2ev 對應于Si2p，532.10eV 對應于01s，284.88 為Cls。由此我們可得出薄膜中含有Si、O、C 元素，其Si／O=1.56，并且峰較尖銳，半高寬較小。

2.阻隔性分析

①PECVD 制備氧化硅

HMDSO／氧氣比例影響

增加氧的濃度能明顯提高薄膜的阻隔性能。隨著氧氣的比例增大，薄膜的阻隔性先上升后下降。在保持等離子體放電參數和薄膜厚度相同的條件下，當氧氣和氬氣比例不同時，薄膜的阻隔性有很大區別。隨著氬氣的增加，阻隔性先增加，在氧氣和氬氣比例1：1 時，阻隔性最高，提高近10 倍。但隨著氬氣比例繼續增大，阻隔性降低，在氬氣比例大于75%時，阻隔性變化趨于穩定。